审查指南第二部分实质审查第二章2.2.6对说明书中实施例的撰写进行了说明“实施例是对发明或实用新型的优选的具体实施方式的举例说明。实施例的数量应当根据发明或实用新型的性质、所属技术领域、现有技术状况以及要求保护的范围来确定。”

　　关于“实施例的数量应当根据发明或实用新型的性质、所属技术领域、现有技术状况以及要求保护的范围来确定。”的解读，审查指南第二部分实质审查第二章2.2.6进行了更进一步的说明，具体为“当一个实施例足以支持权利要求所概况的技术方案时，说明书可以只给出一个实施例。当权利要求（尤其是独立权利要求）覆盖的保护范围较宽，其概况不能从一个实施例中找到依据时，应当给出至少两个不同实施例，以支持要求保护的范围。”那么，在具体撰写时，我们如何确定实施例的数量以支持要求保护的范围呢？下面仅以个人撰写经验分情况提出几点建议，不当之处，敬请指正。

　　第一种情况是权利要求覆盖保护的范围较小，与具体实施方式中实施例的保护范围基本一致，这种情况下，实施例的撰写可以只写一个，其覆盖的范围基本能够得到说明书的支持；

　　第二种情况是权利要求覆盖的范围较大，至少大于具体实施方式中实施例的保护范围，这时在撰写具体实施方式时，较为保险的撰写方法是无论独立权利要求还是从属权利要求，每个权利要求覆盖的范围都至少撰写两个具体实施例以进行支持。

　　但是，代理人毕竟不是发明人，如果每个权利要求覆盖的保护范围都至少撰写两个实施例进行支持，这无疑要求代理人需要与发明人进行详细、深入、全方位的沟通，以熟悉理解透待撰写的技术方案及其相关的知识，并引导发明人做出大量的技术扩展。而现实情况是，在与发明人的沟通过程中，即便代理人努力引导发明人去做技术扩展，发明人也不能针对每个权利要求均给出至少两个实施例，这个时候我们如何在仅有一个实施例的支持下，来支持较宽的保护范围内呢。

　　笔者的建议是在沟通和撰写技术方案时，不能仅仅局限于发明人所提供的具体实现方式的实现方法和实现结果，而是利用因果论，先根据发明人给出的技术效果去沟通实现这个技术效果的技术手段，再结合该技术手段及其对应的技术效果，去沟通这个技术手段之所以能够实现这个技术效果的原理推导。在熟悉了技术手段及其对应的技术效果之间的原理推导后，在撰写时，即便不能提供至少两个实施例，也要将技术手段及其对应的技术效果之间的原理推导描写清楚，以让本领域人员了解这个技术手段能够实现这个技术效果的原因，以及实现这个技术效果需要哪些特性。下面以一具体实施进行说明。

　　我所案号BP20120100，申请号为2012101148191的专利申请中，权利要求1要求保护的范围为：

　　一种开口的形成方法，其特征在于，包括，

　　提供半导体衬底；

　　在半导体衬底上形成金属导电层；

　　在金属导电层上形成介电层后，在介电层内形成开口，所述开口暴露出金属导电层表面，所述金属导电层表面具有反应残留物，开口侧壁具有缺陷；

　　采用第一气体去除开口底部金属导电层上的反应残留物；

　　采用第二气体修复开口侧壁缺陷；

　　在第一气体和第二气体处理后，采用第三气体去除金属导电层表面的聚合物。

　　审查员在第一次审查意见中指出：权利要求1中使用的上位概念“第一气体”、“第二气体”和“第三气体”概括了一个较宽的保护范围，但在说明书中仅给出了第一气体为CO和N2的混合气体，第二提起为CH4和N2的混合气体，第三气体为N2。依据该申请文件所记载的内容，所属技术领域人员难于预见该上位概念所概括的除本申请说明书所述方式之外的所有方式均能解决其技术问题。因此，该权利要求没有以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

　　原申请文件说明书第9页倒数第一段至第10页第一段的记载为“利用第一气体25将双镶嵌开口22内的反应残留物23’去除，防止该反应残留物23’与金属导电层12反应。所述反应残留物23’为难去除的含氟残留物，在本实施例中，所述第一气体25为CO与N2的混合气体。CO与含氟残留物23’中的F反应生成不影响集成电路性能的产物，所述产物大部分为易挥发产物，可被真空系统中的泵抽走。”

　　由上述记载可知，原申请文件说明书中虽然只记载了“所述第一气体25为CO和N2的混合气体”一种具体实现方式，但是，该段还记载了“所述反应残留物23’为难去除的含氟残留物，所述第一气体中的CO的目的是与含氟残留物23’中的F反应生成不影响集成电路性能的产物，所述产物大部分为易挥发产物”，基于此，本领域人员可以直接且毫无疑义的推出，所述第一气体中只要包括能与F反应生成不影响集成电路性能的产物，所述产物大部分为易挥发产物的气体即可，也即所述第一气体中的CO可以替换成任意一种可与F反应生成易挥发产物，且不影响集成电路性能的气体。

　　而根据化学领域各气体的化学性能，本领域人员可以获知除CO外其他可与F反应生成易挥发产物，且不影响集成电路性能的气体，因此，本申请说明书隐含公开了其他可与F反应生成易挥发产物，且不影响集成电路性能的气体，即本领域技术人员根据本申请说明书内容的记载，很容易得到除CO外，其他可与F反应生成易挥发产物，且不影响集成电路性能的气体均能解决CO在本申请所解决的术问题。

　　根据本申请说明书第10页第二段的记载“所述N2为辅助气体，作用为稀释CO气体，以增加刻蚀的速度和均匀性并且减小负载效应。”可知，在本申请中第一气体中的N2只是起到稀释作用，而不参与任何化学反应，基于此，本领域技术人员可以直接且毫无疑义的推出，任意一种不易参与化学反应（在本申请中主要指不与含F聚合物发生反应且不与CO和含F聚合物的反应物发生反应）的气体均能替换第一气体中的N2。

　　即便现有气体中容易获知的可与F反应生成易挥发产物，且不影响集成电路性能的气体只有CO，其他气体不易获知，在本申请技术方案的启示下，将第一气体中的N2替换成其他惰性气体（如氩气等）也是本领域人员所容易想到的。

　　基于上述分析，申请人在第一次审查意见答复中坚持“本申请权利要求1中的第一气体并未概括一个较宽的保护范围，依据本申请说明书的记载，本领域技术人员很容易获得所述第一气体除CO和N2外的其他可实现方式。即本申请权利要求1中的第一气体以说明书为依据，符合专利法第二十六条第四款的规定”。且此观点被审查员所接收。

　　同理，根据本申请说明书第11页第一段的记载“所述第二气体26为CH4与N2的混合气体。采用CH4一方面提供C源，对侧壁中流失的C原子进行有效的补充；另一方面，可以使得C原子与介电层中的Si形成极化较弱的Si-C键代替Si-O键”可知，本申请说明书中虽然只记载了“所述第二气体26为CH4与N2的混合气体”一种具体的实现方式，但是，本申请说明书同样记载了“在本申请中第二气体中的CH4的目的是为了提供C源”，基于此，本领域人员可以直接且毫无疑义的得出，任意可提供C源且不影响原有反应的含C物质（如烷烃）均可实现本申请中第二气体的作用，因此，本申请权利要求中的第二气体隐含公开了其他可提供C源且不影响原有反应的气体。

　　根据本申请说明书第11页第三段的记载“第二气体26中所述N2为辅助气体，作用为稀释CO气体”可知，第二气体中的N2也只是起到稀释作用，而不参与任何化学反应，即不具有化学功能，故基于此，本领域技术人员可以直接且毫无疑义的推出，任意一种不参与化学反应的气体（如氩气等）均能替换第一气体中的N2。

　　因此，本申请权利要求1中的第二气体并未概括一个较宽的保护范围，依据本申请说明书的记载，本领域技术人员很容易获得所述第二气体除CH4和N2的混合气体外的其他可实现方式。即本申请权利要求1中的第二气体以说明书为依据，符合专利法第二十六条第四款的规定。

　　另外，根据说明书第12页第一段的描述“所述第一气体和第二气体对所述双镶嵌开口进行处理后，所述双镶嵌开口22的底部的金属导电层表面具有聚合物30，此聚合物30较容易去除，所述聚合物30的形成有两种途径，采用第一气体25去除反应残留物时形成的第一聚合物31和采用第二气体26修复开口侧壁缺陷24’的第二聚合物32”，由此可见，所述聚合物30为所述第一气体、第二气体对所述双镶嵌开口进行处理后的反应产物。

　　再根据说明书第12页第一段的记载“采用第三气体27将上述聚合物30去除，本实施例中，所述第三气体为氮气。所述聚合物30与N2反应生成易挥发物质，可被真空系统中的泵抽走。”可知，虽然本申请说明书只公开了“所述第三气体为氮气”一种具体实现方式，但是本申请说明书中同样记载了“所述第三气体的目的是去除聚合物30”，只要其能与聚合物30反应生成易挥发物质即可。因此，本领域人员可以直接且毫无疑义的确定，所述第三气体只要能够与所述第一气体、第二气体对所述双镶嵌开口进行处理后的反应产物发生反应生成易挥发物质即可。

　　而且，根据前边关于第一气体和第二气体的分析可知，在本申请中，所述第一气体并不是仅有CO与N2的混合气体一种实现方式，所述第二气体也不是仅有CH4与N2的混合气体一种实现方式，当所述第一气体和第二气体的组成发生变化，所述第三气体也会根据其反应产物作出相应调整，而非固定为N2。

　　因此，本申请权利要求1中的第三气体隐含公开了除N2外的其他可实现方式，并未概括一个较宽的保护范围，依据本申请说明书的记载，即本申请权利要求1中的第三气体以说明书为依据，符合专利法第二十六条第四款的规定。

　　由上述分析可知，本申请说明书中虽然仅给出了“第一气体为CO和N2的混合气体，第二气体为CH4和N2的混合气体，第三气体为N2。”一种具体的实现方式，但是本申请说明书在公开该具体的实现方式时，对该实现方式中各气体的作用以及其的工作原理进行了详细的说明，从而使得本领域技术人员可以基于其作用及工作原理进行等同替换，以对权利要求1中要求保护的范围进行支持，使得权利要求1符合专利法第二十六条第四款的规定。

　　由上述事例可知，上述申请的独立权利要求虽然概括一个较宽的保护范围，说明书只记载了一种具体的实现方式，即一个实施例，但是根据其说明书中关于该具体实现方式的工作原理的记载，本领域人员能够从该具体实现方式中找到权利要求1概括的保护范围的依据。故，上述说明书的记载是能够支持权利要求1所概括的保护范围的。